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類(lèi)型:N溝道
漏源電壓(Vdss):1000V
連續(xù)漏極電流(Id):5A
功率(Pd):60W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω
閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA
封裝:TO-220F
產(chǎn)品名稱(chēng):MOS管SL5N100F
生產(chǎn)商:薩科微Slkor
產(chǎn)品類(lèi)型:N溝道
電性能參數(shù):
漏源電壓(Vdss): 1000V
連續(xù)漏極電流(Id): 5A
功率(Pd): 60W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs, Id): 4.2Ω
閾值電壓(Vgs(th)@Id): 3.5V @ 100μA
封裝規(guī)格:
封裝類(lèi)型: TO-220F
產(chǎn)品特性與應(yīng)用:
MOS管SL5N100F是一款高電壓N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管,由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其高電壓、適中電流和中功率特性使其適用于中高電壓、中功率的電子應(yīng)用。
主要特性:
中高電壓承受能力: 漏源電壓(Vdss)為1000V,適用于中高電壓電路設(shè)計(jì)。
適中的電流承受能力: 連續(xù)漏極電流(Id)為5A,適用于中電流應(yīng)用場(chǎng)景。
中功率: 可以承受60W的功率,適用于中功率負(fù)載。
相對(duì)低的導(dǎo)通電阻: 在正常工作條件下,導(dǎo)通電阻為4.2Ω,有助于降低功耗和提高效率。
相對(duì)高的閾值電壓: 閾值電壓(Vgs(th)@Id)為3.5V @ 100μA,確保穩(wěn)定的電路控制。
封裝優(yōu)勢(shì):
TO-220F封裝是TO-220封裝的升級(jí)版本,具有更好的散熱性能。其外形適用于表面貼裝技術(shù),為高密度電路板設(shè)計(jì)提供了便利。
應(yīng)用領(lǐng)域:
MOS管SL5N100F廣泛應(yīng)用于中高電壓、中功率的電子應(yīng)用,包括但不限于:
電源開(kāi)關(guān): 適用于中高電壓電源開(kāi)關(guān)電路。
電源逆變器: 用于中高電壓電源逆變器的輸出控制。
中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng): 用于中功率電機(jī)控制電路。
安全與可靠性:
MOS管SL5N100F經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測(cè)試,確保在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。請(qǐng)按照產(chǎn)品規(guī)格書(shū)和應(yīng)用注意事項(xiàng)正確使用。
散熱設(shè)計(jì)建議:
由于中高電壓和中功率特性,建議在設(shè)計(jì)中考慮有效的散熱措施,以確保MOS管工作在合適的溫度范圍內(nèi)。
總結(jié):
MOS管SL5N100F以其中高電壓、適中電流和中功率的特性,為中高電壓中功率的電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。在需要中高電壓承受能力和中功率特性的場(chǎng)景下,SL5N100F是一個(gè)值得考慮的選擇。
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