服務(wù)熱線
0755-83044319
類(lèi)型:N溝道
漏源電壓(Vdss):650V
連續(xù)漏極電流(Id):4A
功率(Pd):23.3W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.5V@250A
產(chǎn)品名稱(chēng):高壓MOS管SL4N65F
產(chǎn)品概述:
高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管,具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流,適用于高電壓、大電流場(chǎng)合。采用TO-220F封裝,便于安裝和散熱。
性能參數(shù):
- [敏感詞]漏極-源極電壓:650V
- [敏感詞]漏極電流:4A
- [敏感詞]導(dǎo)通電阻:2.6Ω@10V,2A
- 閾值電壓:4.5V@250A
- 輸入電容:850pF@25V
- 反向傳輸電容:1.2nF@25V
- 柵極電荷:11nC@10V
- 工作溫度范圍:-55℃ ~ +150℃@(Tj)
應(yīng)用領(lǐng)域:
高壓MOS管SL4N65F廣泛應(yīng)用于需要承受高電壓、大電流的場(chǎng)合,如電源、照明、電動(dòng)工具等領(lǐng)域。
安裝說(shuō)明:
1. 請(qǐng)?jiān)跓o(wú)靜電保護(hù)措施的情況下操作。
2. 安裝前請(qǐng)清潔散熱器和芯片表面,確保無(wú)塵、無(wú)油。
3. 芯片正面朝向散熱片,用合適的螺絲固定。
4. 注意安裝時(shí)不要損壞芯片,防止靜電干擾。
注意事項(xiàng):
1. 請(qǐng)勿將該器件用于超出規(guī)定條件的環(huán)境和用途。
2. 使用時(shí)請(qǐng)按照使用說(shuō)明書(shū)正確操作,以免對(duì)器件造成損壞。
3. 禁止對(duì)器件進(jìn)行改裝和拆卸。
4. 當(dāng)存儲(chǔ)器件時(shí),請(qǐng)避免超出規(guī)定的環(huán)境溫度和濕度范圍。
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